MOSFET Infineon IPAN60R180P7SXKSA1, VDSS 600 V, ID 18 A, Mejora, PG-TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 273-7458
- Referência do fabricante:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-7458
- Referência do fabricante:
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOSTM P7 | |
| Encapsulado | PG-TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.18Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 26W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie CoolMOSTM P7 | ||
Encapsulado PG-TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.18Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 26W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon de la plataforma Cool MOS de 7a generación es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión y pionera por Infineon Technologies. La serie Cool MOS P7 de 600 V es el sucesor de la serie Cool MOS P6. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de sonido muy baja, una excelente robustez del diodo del cuerpo contra la conmutación dura y una excelente capacidad de ESD. Además, las pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, compactas y mucho más frías.
Fácil de usar
Excelente robustez ESD
Gestión térmica simplificada
Reducción significativa de conmutación
Adecuado para conmutación dura y suave
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