MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 0.82 V, ID 23 A, Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 273-2796
- Referência do fabricante:
- IPT60R022S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2796
- Referência do fabricante:
- IPT60R022S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 0.82V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | PG-HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 390W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 0.82V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado PG-HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 390W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS SJ S7 de 600 V. Permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de la eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en SMPS y topologías de inversor.
Completamente sin plomo
Conformidad con RUSP
Tiempos de conmutación más rápidos
Cables de inspección visual fáciles
Pérdidas de conducción minimizadas
Diseño más compacto y sencillo
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