MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 21 A, Mejora, PG-VSON-4 de 4 pines
- Código RS:
- 273-2790
- Referência do fabricante:
- IPL65R099C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2790
- Referência do fabricante:
- IPL65R099C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | IPL | |
| Encapsulado | PG-VSON-4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 99mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 128W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie IPL | ||
Encapsulado PG-VSON-4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 99mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 128W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia de 650 V de la serie CoolMOS C7. CoolMOS de Infineon es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión diseñada según el principio de superunión y con las tecnologías de Infineon como pioneras. La serie CoolMOS C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. La cartera de productos proporciona todas las ventajas de los MOSFET de superunión de conmutación rápida que ofrecen una mejor eficiencia, una carga de compuerta reducida, una puesta en funcionamiento sencilla y una fiabilidad excepcional.
Chapado sin plomo
Conformidad con RUSP
Pérdidas de conmutación más bajas
Aumenta la densidad de potencia
Permite una frecuencia más alta
Compuesto moldeado sin halógenos
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