MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IGC033S101XTMA1, VDSS 100 V, ID 76 A, Mejora, PG-VSON-6 de 6 pines

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Código RS:
351-970
Referência do fabricante:
IGC033S101XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

76A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

IGC033

Encapsulado

PG-VSON-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

5.5V

Disipación de potencia máxima Pd

45W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

JEDEC

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY

MOSFET de la serie IGC033 de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 76 A - IGC033S101XTMA1


Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia en diseños de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango térmico y cumple con JEDEC, lo que lo convierte en adecuado para aplicaciones de alta corriente en las que se requiere una integración de encapsulado compacto.

Características y ventajas:


• Rds(on) muy baja de 3,3 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Puede soportar una corriente de drenaje continua de 76 A para cargas pesadas
• Fuente de drenaje nominal de 100 V para conmutación de alta tensión
• Disipación de potencia máxima de 45 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 11 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Encapsulado PG‐VSON‐6 de montaje en superficie para diseños que ahorran espacio

Aplicaciones


• Apto para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de conversión dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con controladores de motor que requieren interruptores compactos
• Se puede utilizar para distribución de potencia de servidores y telecomunicaciones
• Compatible con sistemas de gestión de baterías en equipos industriales

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta debo admitir en los diseños?


El dispositivo presenta una carga de puerta típica de 11 nC, por lo que los controladores de puerta deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación necesaria al tiempo que controlan dV/dt para limitar las interferencias electromagnéticas.

¿Cómo afecta el rendimiento térmico al diseño de la placa de circuito impreso?


Con un techo de disipación de potencia de 45 W, se recomiendan vias térmicas y una propagación de calor de cobre para gestionar la temperatura de unión, especialmente a altas corrientes continuas.

¿Qué restricciones de tensión y polaridad se aplican a la puerta?


El valor nominal máximo de puerta a fuente es de 5,5 V, por lo que la unidad de puerta no debe superar este diferencial para evitar la tensión del dispositivo.

¿Hay límites ambientales para el despliegue?


El dispositivo está diseñado para funcionar de -40 °C a 150 °C, por lo que la selección de componentes y el diseño térmico deben adaptarse a este rango para un funcionamiento fiable.

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