MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 273-2626
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
2,78 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 50 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 1,39 € | 2,78 € |
| 50 - 498 | 1,16 € | 2,32 € |
| 500 - 998 | 0,775 € | 1,55 € |
| 1000 - 2498 | 0,64 € | 1,28 € |
| 2500 + | 0,63 € | 1,26 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2626
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 95nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 95nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon es de 40 V y canal N. Este MOSFET está optimizado para la rectificación síncrona y tiene una mayor fiabilidad de la junta de soldadura gracias a la interconexión de fuente ampliada. Está cualificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
Sin halógenos
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Resistencia térmica superior
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 106 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 34 V, ID 13 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 147 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 23 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, TDSON de 8 pines
