MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 273-2625
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
4 560,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 09 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,912 € | 4 560,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 273-2625
- Referência do fabricante:
- BSC010N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 95nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 139W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 5.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 95nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 139W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 5.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon es de 40 V y canal N. Este MOSFET está optimizado para la rectificación síncrona y tiene una mayor fiabilidad de la junta de soldadura gracias a la interconexión de fuente ampliada. Está cualificado según JEDEC para aplicaciones de destino.
Sin halógenos
Conformidad con RUSP
Chapado sin plomo
Resistencia de encendido muy baja
Resistencia térmica superior
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC010N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 238 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 40 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 70 A, Mejora, TDSON de 8 pines