MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS184LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 69.4 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

8,52 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 6045 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,704 €8,52 €
50 - 951,538 €7,69 €
100 - 2451,238 €6,19 €
250 - 9951,214 €6,07 €
1000 +0,838 €4,19 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
268-8342
Referência do fabricante:
SIS184LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

69.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

SIS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0054Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

Links relacionados