MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS112LDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8.8 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
268-8339
Referência do fabricante:
SIS112LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Serie

SIS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.119Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

19.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

11.8nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay es un MOSFET de configuración única. No contiene plomo ni halógenos y se utiliza como interruptor lateral primario, interruptor de accionamiento de motor y convertidor de impulso.

Ajustado para la cifra más baja de mérito

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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