MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP074N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 35 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines

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Código RS:
279-9923
Referência do fabricante:
SIHP074N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

JEDEC TO-220AB

Serie

SIHP

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.078Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es de potencia de la serie E, y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.

Tecnología de la serie E de 4.ª generación

Bajo factor de mérito (FOM), Ron x Qg

Capacitancia efectiva baja

Calificación energética de avalancha

Reducción de pérdidas de conmutación y conducción

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