MOSFET, N-Canal Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8316
- Referência do fabricante:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
- Mais 2000 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 4,92 € | 9,84 € |
| 50 - 98 | 4,42 € | 8,84 € |
| 100 - 248 | 3,625 € | 7,25 € |
| 250 - 998 | 3,55 € | 7,10 € |
| 1000 + | 2,78 € | 5,56 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8316
- Referência do fabricante:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.193Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.193Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 16 A - SIHK185N60EF-T1GE3
Características y ventajas:
Aplicaciones
¿Qué extremos térmicos puede tolerar en el diseño del sistema?
¿Qué consideraciones de montaje son necesarias en una PCB?
¿Cómo debe limitarse la unidad de puerta para proteger el dispositivo?
¿Qué característica de carga afecta a la selección del controlador de puerta?
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHK110N65SF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH070N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK045N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
