MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

3 456,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 +1,728 €3 456,00 €

*preço indicativo

Código RS:
268-8314
Referência do fabricante:
SIHK185N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.193Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.