MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

9,58 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 499,58 €
50 - 998,62 €
100 - 2497,07 €
250 +6,91 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
268-8307
Referência do fabricante:
SIHK085N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.085Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4 generaciones que reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

Links relacionados