MOSFET, N-Canal Vishay SIHK125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8312
- Referência do fabricante:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8312
- Referência do fabricante:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SIHK | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.125Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 132W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SIHK | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.125Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 132W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 9.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 21 A - SIHK125N60EF-T1GE3
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para la conversión de potencia y el control en placas de circuito impreso. Funciona en un amplio rango térmico y está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión robusto y una capacidad de corriente moderada en un encapsulado PowerPAK montado en PCB.
Características y ventajas:
• Capacidad de drenaje de 650 V para conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 21 A para un suministro de potencia constante
• Rds(on) bajo de 0.125 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 132 W para espacio térmico
• Carga de puerta típica de 45 nC para una energía de conmutación predecible
• Valor nominal de puerta-fuente de 30 V para niveles de accionamiento de puerta flexibles
• Corriente de drenaje continua de 21 A para un suministro de potencia constante
• Rds(on) bajo de 0.125 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación de potencia de 132 W para espacio térmico
• Carga de puerta típica de 45 nC para una energía de conmutación predecible
• Valor nominal de puerta-fuente de 30 V para niveles de accionamiento de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado en equipos industriales
• Ideal para extremos delanteros de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para etapas de corrección de factor de potencia
• Apto para circuitos de inversor en sistemas de energía renovable
• Ideal para extremos delanteros de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en convertidores de potencia
• Se puede utilizar para etapas de corrección de factor de potencia
• Apto para circuitos de inversor en sistemas de energía renovable
¿Qué encapsulado se proporciona para el montaje de PCB y la gestión térmica?
El componente se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAK 10x12 diseñado para el montaje en PCB para facilitar la transferencia de calor a la placa y facilitar vías térmicas basadas en soldadura.
¿Qué extremos térmicos puede soportar el dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con variación de temperatura sustancial.
¿Cómo se comporta el dispositivo como un interruptor controlado por puerta?
Se trata de un MOSFET de canal N de modo de mejora que requiere una tensión de fuente de puerta positiva hasta su límite de 30 V para conducir, y su carga de puerta típica de 45 nC informa los cálculos de energía de conmutación.
¿Hay atributos ambientales o normativos?
El dispositivo cumple los requisitos RoHS para sustancias restringidas, en línea con las directivas ambientales estándar de componentes electrónicos.
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