MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
268-8306
Referência do fabricante:
SIHK085N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SIHK

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.085Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

184W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

63nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

9.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4 generaciones que reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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