MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR626EP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
268-8285
Referência do fabricante:
SIDR626EP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

227A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

SIDR

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00174Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

102nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de Vishay tiene una función de refrigeración superior que proporciona un lugar adicional para la transferencia térmica. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor de accionamiento de motor, interruptor de batería y carga.

Ajustado para la cifra más baja de mérito

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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