MOSFET, N-Canal Vishay SiDR626LEP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 218 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
239-8617
Referência do fabricante:
SiDR626LEP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

218A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15mm

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay TrenchFET® es un MOSFET de canal N de potencia Gen IV que funciona a 60 V y 175 °C de temperatura. Este MOSFET se utiliza para microinversor solar, interruptor de accionamiento de motor y rectificación síncrona.

La función de refrigeración lateral superior proporciona una ubicación adicional para transferencia térmica

Resistencia muy baja

Probado conforme a UIS

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