MOSFET, Tipo N-Canal Microchip VN3205N8-G, VDSS 50 V, ID 1.5 A, MOSFET, SOT-89 de 3 pines

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Código RS:
264-8947
Referência do fabricante:
VN3205N8-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT-89

Serie

VN3205

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

MOSFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de averías secundarias

Requisito de accionamiento de baja potencia

Fácil paralelización

Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas

Excelente estabilidad térmica

Diodo de drenaje de fuente integrado

Alta impedancia de entrada y alta ganancia

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