MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 200 V, ID -175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8926
- Referência do fabricante:
- TP0620N3-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bolsa de 1000 unidades)*
1 260,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 02 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bolsa* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,26 € | 1 260,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 264-8926
- Referência do fabricante:
- TP0620N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -175A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Serie | TP0620 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -175A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Serie TP0620 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de umbral bajo de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (-2,4 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (85 pF típico)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP0620N3-G, VDSS 200 V, ID -175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 40 V, ID 175 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP2104N3-G, VDSS 40 V, ID 175 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN2540N3-G, VDSS 400 V, ID 175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 30 V, ID 140 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 650 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip VP2206N3-G, VDSS 650 V, ID 10.3 A, Mejora, TO-92 de 3 pines