MOSFET, N-Canal Microchip TN2540N3-G, VDSS 400 V, ID 175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 264-8921
- Referência do fabricante:
- TN2540N3-G
- Fabricante:
- Microchip
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 50 para poupar 1,30 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
7,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 30 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,404 € | 7,02 € | - |
| 50 - 95 | 1,378 € | 6,89 € | 1,30 € |
| 100 - 245 | 1,24 € | 6,20 € | 16,40 € |
| 250 - 495 | 1,216 € | 6,08 € | 47,00 € |
| 500 + | 1,188 € | 5,94 € | 108,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 264-8921
- Referência do fabricante:
- TN2540N3-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 175A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 400V | |
| Serie | TN2540 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 175A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 400V | ||
Serie TN2540 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
Umbral bajo (2,0 V máx.)
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada (125 pF máx.)
Velocidades de conmutación rápidas
Baja resistencia de conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 400 V, ID 175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 200 V, ID -175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP0620N3-G, VDSS 200 V, ID -175 A, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 40 V, ID 175 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP2104N3-G, VDSS 40 V, ID 175 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STQ1HNK60R-AP, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Transistor de efecto de campo, N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 400 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines