MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 40 V, ID 175 mA, Mejora, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 165-4216
- Referência do fabricante:
- TP2104N3-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
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- Referência do fabricante:
- TP2104N3-G
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 175mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 740mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5.08mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.33mm | |
| Anchura | 4.06 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 175mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 740mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5.08mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.33mm | ||
Anchura 4.06 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
Transistores MOSFET de modo de mejora de canal P Supertex
La gama Supertex de transistores DMOS FET de modo de mejora (normalmente apagado) de canal P de Microchip es adecuada para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación que requieren baja tensión de umbral, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.
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