MOSFET Microchip TN5325K1-G, VDSS 250 V, ID 150 mA, TO-92 de 3 pines

La serie Microchip TN5325 de transistores de modo de mejora (normalmente desactivado) de umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida.

Umbral bajo de un máximo de 2V
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Tiempo de subida de 15 ns
Tiempo de retardo de apagado de 25 ns
Tiempo de caída de 25 ns