MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R360PFD7SXKSA1, VDSS 650 V, ID 26 A, N, TO-220
- Código RS:
- 258-3782
- Referência do fabricante:
- IPAN60R360PFD7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3782
- Referência do fabricante:
- IPAN60R360PFD7SXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO-220 FullPAK NL logra bajas pérdidas de conmutación, con un RDS(on) de 360 mOhm. El CoolMOS PFD7 de 600 V se suministra con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de muy alta densidad, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia. El CoolMOS PFD7 de 600 V ofrece una eficiencia de carga completa y ligera mejorada sobre las tecnologías CoolMOS P7 y CE MOSFET, lo que da lugar a un aumento de la densidad de potencia de 1,8 W/pulg.3.
Excelente resistencia de conmutación
EMI baja
Amplia cartera de paquetes
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño
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