MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD038N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 262-5867
- Referência do fabricante:
- IPD038N06NF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,54 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,754 € | 7,54 € |
| 100 - 240 | 0,716 € | 7,16 € |
| 250 - 490 | 0,686 € | 6,86 € |
| 500 - 990 | 0,656 € | 6,56 € |
| 1000 + | 0,415 € | 4,15 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 262-5867
- Referência do fabricante:
- IPD038N06NF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia de canal N de Infineon está optimizado para una amplia gama de aplicaciones y se ha probado al 100 por ciento contra avalanchas.
Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N12S3L15ATMA1, VDSS 120 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-252