MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD50N12S3L15ATMA1, VDSS 120 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 214-9038
- Referência do fabricante:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
15,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,57 € | 15,70 € |
| 20 - 90 | 1,439 € | 14,39 € |
| 100 - 240 | 1,328 € | 13,28 € |
| 250 - 490 | 1,234 € | 12,34 € |
| 500 + | 1,197 € | 11,97 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-9038
- Referência do fabricante:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.22 mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.22 mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los productos Infineon OptiMOS-T están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.
Tiene certificación AEC Q101 para automoción
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD038N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD35N12S3L24ATMA1, VDSS 120 V, ID 35 A, Mejora, PG-TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, TO-252