MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF135B203, VDSS 135 V, ID 129 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
260-5936
Referência do fabricante:
IRF135B203
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

129A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

135V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de infrarrojos Infineon de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores de dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente

Links relacionados