MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ036NE2LSATMA1, VDSS 25 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 259-1482
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-502
- Referência do fabricante:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
2,78 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 5000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,278 € | 2,78 € |
| 100 - 240 | 0,271 € | 2,71 € |
| 250 - 490 | 0,264 € | 2,64 € |
| 500 - 990 | 0,257 € | 2,57 € |
| 1000 + | 0,251 € | 2,51 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 259-1482
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-502
- Referência do fabricante:
- BSZ036NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1Ω | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de encendido más baja en encapsulados pequeños, convierten a optimos de 25 V en la mejor elección para los requisitos exigentes de soluciones de regulador de tensión en aplicaciones de servidores, comunicaciones de datos y telecomunicaciones. Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5 x 6). Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de protección externa sean obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.
Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos
Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 160 A, N, TSDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB039N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 160 A, N, TSDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 186 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 223 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ009NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 223 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ013NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 186 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, P, TSDSON