MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ013NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 186 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0708
- Referência do fabricante:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
2,78 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 4348 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,39 € | 2,78 € |
| 20 - 48 | 1,25 € | 2,50 € |
| 50 - 98 | 1,17 € | 2,34 € |
| 100 - 198 | 1,085 € | 2,17 € |
| 200 + | 1,015 € | 2,03 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-0708
- Referência do fabricante:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 186A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | BSZ | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 186A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie BSZ | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos Infineon OptiMOS 5 de 25 V y 30 V ofrece soluciones de referencia al permitir la máxima densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en espera como en funcionamiento completo.
Mejor resistencia en estado activo de su clase
Rendimiento de conmutación de referencia
Eficiencia más alta
Densidad de potencia más alta con encapsulado S3O8 o bloque de alimentación
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 186 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 160 A, N, TSDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB039N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 160 A, N, TSDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 180 A, P, TSDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 61 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 7 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 40 A, N, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 102 A, N, TSDSON de 8 pines
