MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ009NE2LS5ATMA1, VDSS 25 V, ID 223 A, N, TSDSON de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

3,62 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 4980 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 181,81 €3,62 €
20 - 481,505 €3,01 €
50 - 981,415 €2,83 €
100 - 1981,305 €2,61 €
200 +1,215 €2,43 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-0706
Referência do fabricante:
BSZ009NE2LS5ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

223A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

TSDSON

Serie

BSZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 5 de 25 V en el pequeño encapsulado PQFN de 3,3 x 3 x 3 mm. Este dispositivo ofrece el RDS(on) más bajo del sector de 0,9 mΩ a 10 V y está dirigido principalmente a aplicaciones de conmutación de carga y entrada de orificios.

Cargas muy bajas

Ideal para aplicaciones de alto rendimiento

Conformidad con RoHS - sin halógenos

Links relacionados