MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 58 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 259-1472
- Referência do fabricante:
- BSC050NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-1472
- Referência do fabricante:
- BSC050NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | BSC | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie BSC | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos de 25 V optimos de Infineon, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos y sistema en encapsulado. Carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la resistencia de estado encendido más baja en un tamaño pequeño. Minimiza las EMI en el sistema, lo que hace que las redes de desconexión externas queden obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.
Ahorre costes generales del sistema reduciendo el número de fases en convertidores multifásicos
Reduce las pérdidas de potencia y aumenta la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con los encapsulados más pequeños como CanPAK, S3O8 o solución de sistema en encapsulado
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