MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 58 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 259-1472
- Referência do fabricante:
- BSC050NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-1472
- Referência do fabricante:
- BSC050NE2LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSC de Infineon, tensión máxima drenador-fuente de 25 V, disipación de potencia máxima de 28 W - BSC050NE2LSATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de alta corriente. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado TDSON de 8 pines para una integración compacta a nivel de placa. El dispositivo cumple los requisitos de la directiva RoHS y está diseñado para funciones de gestión de potencia en las que son importantes bajas pérdidas por conducción y un manejo térmico eficiente.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 5 mΩ reduce las pérdidas por conducción para la conmutación de alta corriente
• La corriente de drenaje continua de 58 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La disipación de potencia de 28 W permite un rendimiento térmico elevado
• La tensión directa de 1 V reduce la caída de tensión durante la conducción
• El valor nominal de -55 °C a +150 °C amplía la capacidad de temperatura de funcionamiento
• La corriente de drenaje continua de 58 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La disipación de potencia de 28 W permite un rendimiento térmico elevado
• La tensión directa de 1 V reduce la caída de tensión durante la conducción
• El valor nominal de -55 °C a +150 °C amplía la capacidad de temperatura de funcionamiento
Aplicaciones
• Adecuado como MOSFET de potencia SMD para control de motor
• Se utiliza con etapas de potencia dc que requieren MOSFET de 58 A de alta corriente con Rds(on) de 5 mΩ
• Ideal para convertidores de potencia compactos que utilizan MOSFET TDSON de montaje en superficie con valor nominal de 25 V
• Se puede utilizar para circuitos de conmutación MOSFET de 28 W de baja Rds(on) de potencia
• Se utiliza con etapas de potencia dc que requieren MOSFET de 58 A de alta corriente con Rds(on) de 5 mΩ
• Ideal para convertidores de potencia compactos que utilizan MOSFET TDSON de montaje en superficie con valor nominal de 25 V
• Se puede utilizar para circuitos de conmutación MOSFET de 28 W de baja Rds(on) de potencia
¿Qué número de contactos y encapsulado utiliza?
Se suministra en un encapsulado TDSON de 8 contactos para montaje en superficie.
¿Cómo satisface el dispositivo las necesidades de las especificaciones de automoción?
No está especificado como componente de automoción, pero cumple los límites ambientales de la directiva RoHS.
¿Qué configuración de canal y polaridad se implementan?
El dispositivo utiliza una configuración de canal N para disposiciones de conmutación de lado bajo o lado alto.
¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?
El dispositivo está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C.
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