MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB123N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 58 A, N, TDSON
- Código RS:
- 258-7741
- Referência do fabricante:
- IPB123N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-7741
- Referência do fabricante:
- IPB123N10N3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | N | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal N | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia OptiMOS 3 de Infineon ofrece soluciones superiores para SMPS de alta eficiencia y alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, este producto logra una reducción del 30 por ciento tanto en Rds on como en FOM.
Excelente rendimiento de conmutación
El RDS más bajo del mundo
Sin halógenos conforme con RoHS
Nivel de protección MSL1 2
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