MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 24 A, N, TDSON

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Código RS:
258-3886
Referência do fabricante:
IPLK60R360PFD7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

24A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TDSON

Serie

IPL

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado ThinPAK 5x6 dispone de RDS(on) de 360 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Este encapsulado se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm2 y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm. Junto con su referencia de bajo nivel de parásitos, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Los productos CoolMOS PFD7 se suministran con un diodo de cuerpo rápido que garantiza un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente.

Diodo de cuerpo rápido robusto integrado

Protección ESD de hasta 2 kV

Excelente resistencia de conmutación

EMI baja

Reducción de costes BOM y fabricación sencilla

Robustez y fiabilidad

Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño

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