MOSFET Infineon, VDSS 30 V, ID 150 A, TO-220
- Código RS:
- 258-3993
- Referência do fabricante:
- IRLB4132PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 100 unidades)*
42,10 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1200 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,421 € | 42,10 € |
| 200 - 400 | 0,40 € | 40,00 € |
| 500 - 900 | 0,384 € | 38,40 € |
| 1000 - 1900 | 0,367 € | 36,70 € |
| 2000 + | 0,342 € | 34,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3993
- Referência do fabricante:
- IRLB4132PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 150A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 150A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está optimizado para la mayor disponibilidad de socios de distribución. Su calificación de producto según el estándar JEDEC.
Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 5 V
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Encapsulado con capacidad de transporte de alta corriente
Links relacionados
- MOSFET Infineon IRLB4132PBF, VDSS 30 V, ID 150 A, TO-220
- MOSFET Infineon, VDSS 150 V, ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL7833PBF, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLB8743PBF, VDSS 30 V, ID 150 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon IRFI4019H-117PXKMA1, VDSS 150 V, ID 8.7 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB5615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220