Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 85 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 178-1416
Referência do fabricante:: IRFB4321PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 85 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

63,25 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

300 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Tubo*
50 - 50	1,265 €	63,25 €
100 - 200	1,138 €	56,90 €
250 +	1,075 €	53,75 €

*preço indicativo

Código RS:: 178-1416
Referência do fabricante:: IRFB4321PBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	85A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	150V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	15mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	350W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	71nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	4.82 mm
	Altura	9.02mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.66mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 85A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf -1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 350W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 4.82 mm
	Altura 9.02mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.66mm
	Estándar de automoción No

IRFB4321PbF, HEXFET Power MOSFET

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.