MOSFET, N-Canal Infineon IRFB5615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, TO-220
- Código RS:
- 257-9355
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-527
- Referência do fabricante:
- IRFB5615PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 995 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,328 € | 11,64 € |
| 25 - 45 | 2,098 € | 10,49 € |
| 50 - 120 | 1,954 € | 9,77 € |
| 125 - 245 | 1,82 € | 9,10 € |
| 250 + | 1,68 € | 8,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-9355
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-527
- Referência do fabricante:
- IRFB5615PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 39mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V, corriente de drenaje continua máxima de 35 A - IRFB5615PBF
Este MOSFET es un transistor de potencia de orificio pasante diseñado para conmutación y conversión de potencia en entornos exigentes. Funciona como un dispositivo de canal N de modo de mejora en un encapsulado TO-220, adecuado para instalaciones que requieren una tensión nominal de drenaje-fuente robusta y un manejo de corriente continua considerable. El componente cumple los requisitos RoHS y está clasificado para un amplio rango térmico adecuado para condiciones industriales.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 150 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 35 A admite fuentes de alimentación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 39 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• El rango de funcionamiento de -55 °C a +175 °C permite su uso a temperaturas extremas
• La tensión de puerta directa de 1,3 V reduce los requisitos de accionamiento para la conmutación
• La corriente continua de 35 A admite fuentes de alimentación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 39 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante el funcionamiento
• El rango de funcionamiento de -55 °C a +175 °C permite su uso a temperaturas extremas
• La tensión de puerta directa de 1,3 V reduce los requisitos de accionamiento para la conmutación
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de accionamiento de motor
• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente
• Se utiliza con módulos de control de potencia discretos en sistemas industriales
• Se puede utilizar para tareas de conmutación de dc de alta tensión
• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta corriente
• Se utiliza con módulos de control de potencia discretos en sistemas industriales
• Se puede utilizar para tareas de conmutación de dc de alta tensión
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para el montaje en PCB?
Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO-220 adecuado para un montaje soldado seguro.
¿Cómo afecta el tipo de canal a la polaridad de conmutación?
La configuración de canal N requiere un accionamiento de puerta positivo en relación con la fuente para la conducción.
¿Está diseñado este componente para la certificación de automoción?
No está especificado para cumplir los estándares de grado automovilístico.
¿Qué restricción ambiental estándar se cumple?
El dispositivo cumple las directivas RoHS que limitan determinadas sustancias peligrosas.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4615PBF, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 30 V, ID 150 A, TO-220
- MOSFET Infineon IRLB4132PBF, VDSS 30 V, ID 150 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 35 A, DirectFET de 7 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IPP016N08NF2SAKMA1, VDSS 80 V, ID 35 A, TO-220 de 3 pines