MOSFET, N-Canal Infineon IAUTN12S5N018TATMA1, VDSS 120 V, ID 120 A, Mejora, PG-HDSOP-16-1 de 16 pines

El MOSFET de potencia de automoción OptiMOS 5 de Infineon ofrece un rendimiento y fiabilidad excepcionales para aplicaciones de automoción. Con su diseño de modo de mejora de canal N, este transistor de potencia se ha diseñado para cumplir los estrictos requisitos del sector de la automoción, lo que garantiza una eficiencia superior y una funcionalidad robusta. Con una calificación ampliada más allá de AEC Q101, se somete a pruebas eléctricas mejoradas para garantizar la durabilidad incluso en entornos hostiles. Este dispositivo admite un amplio rango de temperaturas de funcionamiento, lo que lo convierte en adecuado para diversas condiciones de automoción. Su baja resistencia de estado encendido y su alta capacidad de corriente de drenaje continuo convierten a este MOSFET en una elección ideal para tareas exigentes de gestión de potencia, lo que garantiza que el rendimiento del vehículo permanezca sin compromiso.

Diseñado para cumplir con los requisitos de automoción