MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 136 A, P, TDSON

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

5,21 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 460 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 182,605 €5,21 €
20 - 482,345 €4,69 €
50 - 982,19 €4,38 €
100 - 1982,03 €4,06 €
200 +1,895 €3,79 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3885
Referência do fabricante:
IPI029N06NAKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

136A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

IPI

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon está optimizado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluidos control de motor, microinversor solar y convertidor dc-dc de conmutación rápida.

Mejora del 40% de FOM en comparación con dispositivos similares

Conformidad con RoHS - sin halógenos

Homologación MSL1

Eficiencia del sistema más alta

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Links relacionados