MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPA60R380P6XKSA1, VDSS 600 V, ID 6.5 A, P, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3774
- Referência do fabricante:
- IPA60R380P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3774
- Referência do fabricante:
- IPA60R380P6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPA | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPA | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con innovación de alta clase. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conmutación y conducción muy bajas hacen que la aplicación de conmutación sea más eficiente, más compacta, más ligera y más fría.
V superior
Buena resistencia del diodo del cuerpo
R g integrado optimizado
dv/dt mejorado desde 50 V/ns
Calidad CoolMOS con más de 12 años de experiencia de fabricación en tecnología de superunión
Alta robustez y mejor eficiencia
Calidad y fiabilidad excepcionales
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