MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 88 A, N, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0686
- Referência do fabricante:
- BSC0503NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0686
- Referência do fabricante:
- BSC0503NSIATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 88A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 36W | |
| Tensión directa Vf | 0.54V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 88A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 36W | ||
Tensión directa Vf 0.54V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de productos Infineon OptiMOS 5 de 25 V y 30 V ofrece soluciones de referencia al permitir la máxima densidad de potencia y eficiencia energética, tanto en espera como en funcionamiento completo.
Eficiencia más alta
Densidad de potencia más alta con encapsulado S3O8 o Power Block
Reducción de los costes generales del sistema
Funcionamiento a alta frecuencia de conmutación
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