MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 99 A, TO-252

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Código RS:
257-9456
Referência do fabricante:
IRLR3636TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRLR de Infineon es un mosfet de potencia de canal n simple de 60 V en un encapsulado D-Pak. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

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