MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 110 A, TO-252

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Código RS:
257-5550
Referência do fabricante:
IRFR7540TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

86nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon tiene una resistencia dV/dt de puerta, avalancha y dinámica mejorada y un SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado.

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

Sin plomo, conforme con RoHS

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