MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLR3636TRPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

13,23 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 280 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 401,323 €13,23 €
50 - 901,072 €10,72 €
100 - 2401,005 €10,05 €
250 - 4900,926 €9,26 €
500 +0,861 €8,61 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
830-3372
Referência do fabricante:
IRLR3636TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

143W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Anchura

6.22 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados