MOSFET, N-Canal Infineon IRLR3636TRPBF, VDSS 60 V, ID 99 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 830-3372
- Referência do fabricante:
- IRLR3636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 830-3372
- Referência do fabricante:
- IRLR3636TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 143W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16, +16V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 143W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16, +16V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 6.22mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 99 A - IRLR3636TRPBF
Este MOSFET de mejora de canal n de Infineon es un transistor de potencia diseñado para conmutación de alta corriente en circuitos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo robusto de tensión de fuente de drenaje y una capacidad de corriente continua sustancial. El dispositivo dispone de un encapsulado TO-252 para un montaje compacto a nivel de placa y un valor nominal de puerta que admite tensiones de accionamiento de puerta típicas.
Características y ventajas:
• La corriente de drenaje continua máxima de 99 A permite la conmutación de alta corriente
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V admite sistemas de tensión media
• La Rds(on) muy baja de 8,3 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia máxima de 143 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 49 nC permite una dinámica de conmutación predecible
• La tensión directa de 1,3 V minimiza la caída de tensión bajo carga
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V admite sistemas de tensión media
• La Rds(on) muy baja de 8,3 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia máxima de 143 W permite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 49 nC permite una dinámica de conmutación predecible
• La tensión directa de 1,3 V minimiza la caída de tensión bajo carga
Aplicaciones
• Ideal para etapas de accionamiento de motores en actuadores eléctricos
• Adecuado para convertidores y reguladores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Apto para conmutación industrial en accionamientos de velocidad variable
• Adecuado para convertidores y reguladores dc-dc de alta corriente
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Apto para conmutación industrial en accionamientos de velocidad variable
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
El dispositivo no debe accionarse más allá de una tensión nominal de fuente de puerta de 16 V para evitar la tensión de óxido de puerta y garantizar una conmutación fiable.
¿Qué condiciones térmicas puede tolerar en funcionamiento?
El transistor está especificado para funcionar entre -55 °C y 175 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos exigentes con una gestión térmica adecuada.
¿Cómo afecta el encapsulado a la disposición y el montaje de la placa?
El formato de montaje en superficie TO-252 proporciona una huella compacta y una ruta térmica a la PCB, lo que facilita conexiones de baja inductancia y una transferencia de calor eficiente.
¿Cómo influye su tipo de canal en el comportamiento de conmutación?
Al ser un dispositivo de mejora de canal N, requiere un accionamiento de puerta positivo en relación con la fuente para encenderlo, lo que ofrece un Rds(on) bajo cuando se acciona de manera adecuada.
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