MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF200B211, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9279
- Referência do fabricante:
- IRF200B211
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9279
- Referência do fabricante:
- IRF200B211
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es la familia IR Mosfet de Mosfet de potencia que utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Encapsulado de alta capacidad de transporte de corriente
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