Referência do fabricante

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA533EDJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, PowerPAK de 6 pines

Código RS:: 256-7407
Referência do fabricante:: SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA533EDJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, PowerPAK de 6 pines

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Código RS:: 256-7407
Referência do fabricante:: SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	PowerPAK
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.033Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	0.8mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado PowerPAK
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 0.8mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIA533EDJ-T1-GE3

La matriz mosfet de canal N y P de Vishay Semiconductor tiene un encapsulado doble de montaje en superficie y powerPAK SC-70-6.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Protección contra ESD típica de canal n de 1.500 V, canal p de 1.000 V

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA533EDJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, PowerPAK de 6 pines

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