MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA445EDJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12 A, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 256-7403
- Referência do fabricante:
- SIA445EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7403
- Referência do fabricante:
- SIA445EDJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.024Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.024Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El encapsulado powerPAK SC-70-6 de montaje en superficie de canal P de Vishay Semiconductor con área de huella pequeña y baja resistencia de conexión.
MOSFET de potencia TrenchFET
100 % Rg probado
Protección contra ESD integrada con diodo zener
Rendimiento ESD típico de 2.000 V
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