MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA483ADJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10.6 A, PowerPAK de 6 pines

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Código RS:
256-7405
Referência do fabricante:
SIA483ADJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Disipación de potencia máxima Pd

17.9W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.8mm

Estándar de automoción

No

El encapsulado powerPAK SC-70 de 30 V (D-S) mosfet iTime de canal P de Vishay Semiconductor ofrece un excelente valor de mérito RDS-Qg (FOM)

para aplicaciones de conmutación de carga y gestión de baterías, interruptores de carga, convertidores dc, dc, gestión de potencia en dispositivos de batería, móviles y portátiles.

MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV

Proporciona una excelente cifra de mérito RDS-Qg

Para aplicaciones de conmutación

100 % Rg probado

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