MOSFET Vishay, N-Canal SI6968BEDQ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 5.2 A, TSSOP-8
- Código RS:
- 256-7382
- Referência do fabricante:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7382
- Referência do fabricante:
- SI6968BEDQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSSOP-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSSOP-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
El drenaje común de mosfet de canal N doble de Vishay Semiconductor con protección ESD y terminaciones que contienen plomo no son conformes con RoHS.
MOSFET de potenciaTrenchFET
Protección ESD 3.000 V
Montaje superficial en placa FR4
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