MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHF620S-GE3, VDSS 200 V, ID 5.2 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
815-2629
Referência do fabricante:
SIHF620S-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF620S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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