MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si6423ADQ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12.5 A, Mejora, TSSOP de 8 pines
- Código RS:
- 228-2822
- Referência do fabricante:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (3000 unidades, em rolo de 3000)*
903,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 3000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,301 € | 903,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2822
- Referência do fabricante:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de alimentación de canal P TrenchFET de Vishay se utiliza para interruptor de carga, interruptor de batería y gestión de alimentación.
100 % Rg y UIS probados
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si6423ADQ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12.5 A, Mejora, TSSOP de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ4401EY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 17 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1411DH-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 0.52 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1401EDH-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si3129DV-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 5.4 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI4435DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3493DDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI3473CDV-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines