MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 254-7664
- Referência do fabricante:
- NTBG060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 254-7664
- Referência do fabricante:
- NTBG060N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | NTB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 74nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie NTB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 74nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
La serie NTB de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Mayor fiabilidad del sistema, carga de puerta ultrabaja, alta velocidad de conmutación y baja capacitancia
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