MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L040N120SC1, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

26,77 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 394 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 +13,385 €26,77 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
202-5738
Referência do fabricante:
NVH4L040N120SC1
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NVH

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

319W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de funcionamiento máxima

170°C

Anchura

5.2 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.8mm

Altura

22.74mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio (SiC), canal N - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L MOSFET de carburo de silicio, canal N, 1.200 V, 40 mohm, TO247-4L


El MOSFET ON Semiconductor de potencia de carburo de silicio funciona con 58 amperios y 1.200 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de cargador de placa de automoción, convertidor dc o dc.

Certificación AEC Q101

Capacidad de proceso de aprobación de piezas de producción

100 % a prueba de avalancha

Baja capacitancia eficaz de salida

Links relacionados

Recently viewed